Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια 3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες μετά την μαζική παραγωγή της 2ης γενιάς, της τάξεως 10nm (1y-nm) 8G DDR4, …
